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SUD50N06-08H
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
100
80
60
40
V GS = 10 thru 6 V
80
60
40
T C = 125 °C
20
0
5V
20
0
25 °C
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
150
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.015
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
125
T C = - 55 °C
25 °C
0.012
125 °C
100
0.009
75
50
0.006
V GS = 10 V
25
0
0.003
0.000
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100
9000
I D - Drain Current (A)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
8000
7000
C iss
16
V DS = 30 V
I D = 50 A
6000
12
5000
4000
3000
8
2000
C rss
C oss
4
1000
0
0
0
10
20
30
40
50
60
0
40
80
120
160
200
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 73160
S-71661-Rev. B, 06-Aug-07
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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